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湖人vs凯尔特人总决赛:碲化汞、碲化鎘和銻化銦共晶結構化合物及其單晶材料和薄膜材料專利登記公告


波士顿凯尔特人主场 www.jvyiz.club 專利名稱:碲化汞、碲化鎘和銻化銦共晶結構化合物及其單晶材料和薄膜材料

摘要:碲化汞、碲化鎘和銻化銦共晶結構化合物及其單晶材料和薄膜材料,涉及一類新型紅外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb為原料,采用真空中高溫固相合成法。其單晶生長溫度為700~850℃,控制坩堝下降速度為5~30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制備。本類材料是一種帶隙在較寬范圍內可調整,結構相對穩定,組分均勻,且制備工藝相對簡單,低汞含量而響應波長在中長波段的且性能可與MCT紅外半導體材料相媲美的新型紅外材料。

專利類型:發明專利

專利號:CN200510067200.X

專利申請(專利權)人:中國科學院福建物質結構研究所

專利發明(設計)人:鄒建平;郭國聰;陳文通;蔡麗珍;趙振乾

主權項:權利要求書1.碲化汞、碲化鎘和銻化銦共晶結構化合物的合成方法,其特征在于:以HgTe、CdTe和InSb為原料,采用真空中高溫固相合成法。

專利地區:福建